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CMOS傳感器
ISDI是高性能CMOS成像半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者，提供定制傳感器設(shè)計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。
ISDI成立于2010年，由一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)與通過科學(xué)和研究領(lǐng)域的項(xiàng)目獲得的CMOS圖像傳感器方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。自成立以來(lái)，ISDI已經(jīng)從一個(gè)科學(xué)傳感器的設(shè)計(jì)者發(fā)展到一個(gè)廣泛應(yīng)用的晶片級(jí)成像設(shè)備的制造商。
所提供傳感器適合板到板或板通過電纜連接到數(shù)據(jù)采集PCB。數(shù)字接口設(shè)計(jì)用于直接連接到FPGA或ASIC。對(duì)于50μm和100μm傳感器，顯影板可通過USB或Gigevision直接與攝像機(jī)連接。
所有傳感器設(shè)計(jì)可用于X射線環(huán)境中的低噪聲操作，適用于光纖板（FOP）粘合或直接閃爍沉積。
一個(gè)多功能，功能豐富的硅片級(jí)圖像傳感器結(jié)合ISDI組成低噪聲像素架構(gòu)。并且，傳感器可以對(duì)接以形成更大的連續(xù)圖像區(qū)域。
CMOS傳感器關(guān)鍵特征：
•卷簾曝光 
•高、低滿阱（HFW、LFW）可選，適合高、低靈敏度應(yīng)用
•片內(nèi)溫度傳感器
•動(dòng)態(tài)設(shè)置感興趣區(qū)域（ROI）
•非破壞性讀出選項(xiàng)
應(yīng)用圖例：
ISDI是高性能CMOS成像半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新者，提供定制傳感器設(shè)計(jì)和標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品。
ISDI成立于2010年，由一個(gè)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)與通過科學(xué)和研究領(lǐng)域的項(xiàng)目獲得的CMOS圖像傳感器方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)。自成立以來(lái)，ISDI已經(jīng)從一個(gè)科學(xué)傳感器的設(shè)計(jì)者發(fā)展到一個(gè)廣泛應(yīng)用的晶片級(jí)成像設(shè)備的制造商。
所提供傳感器適合板到板或板通過電纜連接到數(shù)據(jù)采集PCB。數(shù)字接口設(shè)計(jì)用于直接連接到FPGA或ASIC。對(duì)于50μm和100μm傳感器，顯影板可通過USB或Gigevision直接與攝像機(jī)連接。
所有傳感器設(shè)計(jì)可用于X射線環(huán)境中的低噪聲操作，適用于光纖板（FOP）粘合或直接閃爍沉積。
一個(gè)多功能，功能豐富的硅片級(jí)圖像傳感器結(jié)合ISDI組成低噪聲像素架構(gòu)。并且，傳感器可以對(duì)接以形成更大的連續(xù)圖像區(qū)域。
關(guān)鍵特征：
•卷簾曝光
•高、低滿阱（HFW、LFW）可選，適合高、低靈敏度應(yīng)用
•片內(nèi)溫度傳感器
•動(dòng)態(tài)設(shè)置感興趣區(qū)域（ROI）
•非破壞性讀出選項(xiàng)
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