| 品牌 | 昊量光電 | 應用領域 | 綜合 |
|---|---|---|---|
| 源站類別 | 光電測量設備/光電探測器 | 感光區直徑 | 50μm |
| 響應波長 | 900-2600nm | 典型波長 | 1310/1550nm |
| 響應時間 | 100-200ps | 電容 | 0.25-0.4pF |
| 暗電流 | 0.1-1nA |
昊量光電/星朗浩宇高速InGaAs光電探測器FD50系列
fermionics是一家獨立的InGaAs光電二極管制造商，用于光通信、測試儀器、傳感等應用。在費米公司，我們專注于質量、及時交付和客戶設計要求，致力于滿足多樣化客戶群的需求。該公司于1991年在加利福尼亞州成立并注冊成立。
昊量光電/星朗浩宇高速InGaAs光電探測器FD50系列Fermionics公司推出的這款該系列產品是一款50µm有源直徑InGaAs光電二極管，安裝在帶球透鏡的TO46頂蓋中。
可以用于高速模擬和數字通信系統、局域網、FDDI、儀器和傳感應用的高速InGaAs光電二極管。所有設備都是fabrica采用平面鈍化技術；光敏表面是寬帶AR涂層。
Fermionics FD50 系列為 50 μm 有源區 InGaAs PIN 光電二極管，以超低電容（0.25–0.4 pF）、亞納秒響應（100–200 ps）與低暗電流（0.1–1 nA）為核心，適配 1310/1550 nm 超高速通信與測試，支持 TO / 陶瓷 / 光纖耦合封裝，適合 40G/100G/200G ROSA 與高速儀器接收端。
（FD50L產品圖片）
該系列核心原理與結構：
平面鈍化 PIN，寬帶增透膜，響應 900–2600 nm，典型 1310/1550 nm。
反向偏置耗盡層吸收光子，低電容支撐 GHz 級帶寬與亞納秒上升 / 下降。
速度由結電容與負載決定，50 μm 較 80 μm 更小，帶寬更高、耦合更精準。
該系列性能優勢：
超高速低噪聲：0.25–0.4 pF、100–200 ps，適合 40G/100G/200G 與高速測試。
低回損可選：尾纖端面斜切（如 8°），回損≥40 dB，減少系統反射噪聲。
靈活集成：TO、陶瓷襯底、表面貼裝、尾纖 / 連接器，適配原型到量產。
工業可靠：-40 至 + 85 °C，高穩定性，適合戶外與數據中心。
該系列應用場景：
超高速光通信：40G/100G/200G ROSA、相干接收、數據中心 DCI，1310/1550 nm 鏈路。
高速測試儀器：誤碼儀、光示波器、采樣示波器、矢量網絡分析儀，低噪聲與亞納秒響應。
微波光子學：光生微波、光電混頻、ROF 系統，低電容與高線性。
傳感與醫療：近紅外光譜、光纖傳感、激光雷達，寬波長與低暗電流。
該系列選型建議：
超高速通信：選 FD50S8?F/F8，尾纖 / 連接器耦合，低回損，適配 ROSA 與相干接收。
測試儀器：FD50W/FD50L，平窗 / 球透鏡，易與準直光 / 自由空間系統對接。
高頻 PCB：FD50S2/S3，陶瓷襯底，低熱阻、低寄生，支持表面貼裝。
低回損：指定尾纖端面斜切（如 8°），回損≥40 dB，減少系統抖動與誤碼。
該系列產品類型：
| FD50W | 50µm有源直徑InGaAs光電二極管安裝在TO18接口上，配有平坦的AR涂層窗口 |
| FD50L | 50µm有源直徑InGaAs光電二極管安裝在TO46接口內，帶球形透鏡 |
| FD50S2 | 50µm有源直徑InGaAs光電二極管安裝在S2型氧化鋁陶瓷底座上 |
| FD50S3 | 50µm有源直徑InGaAs光電二極管安裝在S3型氧化鋁陶瓷底座上 |
| FD50S8-F-（光纖類型/連接器） | 50µm有源直徑InGaAs光電二極管水平安裝S8陶瓷封裝尾尾組件。定制光纖和連接器終端可用。 |
| FD50S8-F8-（光纖類型/連接器） | 50µm有源直徑InGaAs光電二極管水平安裝S8陶瓷封裝尾尾組件。內部纖維端角在8°拋光低背反射。定制單模光纖和連接器終端可用。 |
該系列 芯片系列規格表：
| ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T=25°C) | ||
| PARAMETER | RATING | UNITS |
| Storage Temperature | - 40 to +100 | ℃ |
| Operating Temperature | - 40 to +85 | ℃ |
| Forward Current | 5 | mA |
| Reverse Current | 0.5 | mA |
| Reverse Voltage | 30 | V |
| Optical and Electrical Characteristics (T = 25°C) | |||||
| Parameter | Test Conditions | Min | Typ | Max | Units |
| Responsivity(R) | λ = 1300 nm λ = 1550 nm | 0.80 0.85 | 0.85 0.90 | A/W | |
| dark current(Id) | Vr = 5V | 0.1 | 1 | nA | |
| Rise / Fall Time(Tr / Tf) | Vr = 5V | 100 | 200 | ps | |
| Capacitance(C) | Vr = 5V | 0.25 | 0.4 | pF | |
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