| 品牌 | 昊量光電 | 屏蔽材料 | 高導磁材料 |
|---|---|---|---|
| 適用環(huán)境 | 弱磁測試、校準和實驗 | 內磁場 | ＜5 μT / ＜1 μT / ＜0.1 μT |
| 剩磁指標 | 1 nT / 2 nT | 衰減 | ＞80 dB / ＞90 dB |
| 頻率范圍 | DC～10 kHz | 內孔尺寸 | Φ8 mm至Φ200 mm可選 |
| 工作溫度 | -20℃～70℃ |
昊量光電/星朗浩宇磁學測量磁屏蔽桶腔
昊量光電/星朗浩宇磁學測量磁屏蔽桶腔產品簡介
磁屏蔽桶腔是一種用于降低外部磁場干擾的屏蔽裝置，采用高導磁材料加工而成，可在內部形成相對穩(wěn)定、低干擾的磁環(huán)境。產品適用于磁強計、磁傳感器、磁通門探頭、弱磁測試設備等儀器的校準、測試和實驗使用。
該系列磁屏蔽桶腔可減少環(huán)境磁場、雜散磁場及外部電磁干擾對測量結果的影響，幫助用戶獲得更穩(wěn)定、更可靠的磁場測試數據。產品具有結構緊湊、使用方便、屏蔽效果穩(wěn)定、適配多種測試場景等特點。
磁屏蔽腔磁屏蔽桶產品特點
高導磁材料結構
磁屏蔽桶腔采用高導磁材料制成，可有效吸收和引導外部磁場，降低環(huán)境磁場對內部測試區(qū)域的影響。適用于弱磁測試環(huán)境
適合磁強計、磁通門探頭、霍爾傳感器、磁場計等設備的弱磁場測試、校準和驗證。降低外界磁場干擾
磁屏蔽桶腔可減小地磁場、設備雜散磁場、實驗室環(huán)境磁場等因素對測試結果的干擾。多規(guī)格可選
可根據不同測試探頭、傳感器尺寸和樣品尺寸選擇不同內孔尺寸、長度和屏蔽性能規(guī)格。支持非標定制
磁屏蔽桶腔可根據客戶需求定制內孔尺寸、外形尺寸、屏蔽層數、屏蔽深度及安裝結構。操作方便，適合實驗室和產線使用
產品結構簡單，便于放置探頭、樣品或測試設備，適合科研實驗、儀器校準、生產檢測等場景。
磁屏蔽腔磁屏蔽桶應用領域：
磁屏蔽桶腔主要用于需要降低外界磁場影響的測試、校準和實驗環(huán)境，可廣泛應用于以下場景：
磁強計、磁通門傳感器、磁場計校準
弱磁場測試和微弱磁信號測量
磁傳感器性能測試
磁屏蔽實驗和磁場環(huán)境模擬
電子元器件、傳感器、探頭的磁環(huán)境測試
科研院所、高校實驗室、計量檢測單位
儀器儀表生產檢測及出廠校準
對磁場干擾敏感的測試系統屏蔽保護
磁屏蔽腔磁屏蔽桶技術參數：
TM2800 磁屏蔽腔規(guī)格
| 型號 | 內磁場 | 內孔直徑 | 內孔長度 | 外型尺寸 | 質量 |
| TM2800-5μT | ＜5 μT | Φ8 mm | 40 mm | 60 × 30 × 30 mm | 0.1 kg |
| TM2800-1μT | ＜1 μT | Φ10 mm | 100 mm | 120 × 40 × 40 mm | 0.3 kg |
| TM2800-0.1μT | ＜0.1 μT | Φ20 mm | 200 mm | 230 × 40 × 40 mm | 0.6 kg |
T
M2900磁屏蔽桶規(guī)格
| 產品型號 | 剩磁/屏蔽指標 | 衰減 | 頻率 | 內孔尺寸 | 外型尺寸 | 工作溫度 |
| TM2900-150-1000-2 | 2 nT | ＞90 dB | DC～10 kHz | Φ150 mm × 1000 mm | Φ500 mm × 1000 mm | -20℃～70℃ |
| TM2900-200-1500-1 | 1 nT | ＞80 dB | DC～10 kHz | Φ200 mm × 1500 mm | Φ750 mm × 1500 mm | -20℃～70℃ |
注：以上參數可根據用戶測試空間、屏蔽指標、安裝方式及使用環(huán)境進行定制。
磁屏蔽腔磁屏蔽桶技術參數
選擇磁屏蔽桶腔時，建議根據以下因素確定型號：
測試對象尺寸
根據探頭、傳感器或被測樣品的尺寸選擇合適的內孔直徑和內孔長度。目標磁場環(huán)境
如需更低磁場背景，可選擇內磁場更低或屏蔽層數更高的磁屏蔽桶腔。屏蔽頻率范圍
對于直流磁場、低頻磁場或寬頻范圍測試，應根據測試頻率選擇適合的屏蔽結構。安裝和操作方式
小型磁屏蔽桶腔適合便攜測試和儀器校準，大型磁屏蔽筒適合實驗室固定安裝和系統級測試。是否需要定制
如標準規(guī)格無法滿足測試空間、開孔、支架、臺架或接口需求，可提供非標定制方案。
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